Descrição do produto

 Código do produto no fabricante: KVR16LS11/4
– Tipo de módulo: 204 pinos DDR3L SDRAM (Synchronous DRAM)
– Capacidade de armazenamento: 4 GB
– Frequência: 1600 MHz (PC3L-12800)
– Padrão JEDEC: 1.35 V (1.28 V ~ 1.45 V) e 1.5 V (1.425 V ~ 1.575 V)
– CL(IDD): 11 ciclos
– Taxa UL: 94 V – 0
– Bancos internos independentes: 8
– Pré busca (Pre-fetch): 8 bits
– Comprimento Burst: 8 (Interleave sem qualquer limite, seqüencial com endereço de partida “000” apenas), 4 com tCCD = 4, que faz não permitir leitura perfeita ou escrever [ou em tempo real usando A12 ou MRS].
– Diferencial Strobe de dados: Bi-direcional
– Auto calibração interna: através ZQ pinos (RZQ: 240 ohm ± 1%)
– Terminação Die: usando pinos ODT
– Sensor On-DIMM: térmica (classe B)
– Média de atualização: 7.8us período em inferior TCASE 85 °C, 3.9us a 85 °C – Reset: assíncrono
– Dimensões: Altura 30 milímetros